科學家發現記憶基因

【字體: 時間:2001年08月30日 來源:

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生物通編譯:Robert Wood Johnson醫學院的科學家發現了關鍵的記憶基因Rab3A。通過測定電刺激的方法,他們發現這個基因對大腦記憶神經之間進行更為流暢的對話是必需的。海馬神經元間的電脈沖活性也發現對短期記憶或長期記憶至關重要。這項研究發表在9月1日《神經科學雜志》上。
當細胞帶有Rab3A基因時,細胞中的BDNF激素會使相鄰神經元的電訊息交流量增加200-300%。缺乏Rab3A基因的細胞,則沒有增加。
科學家認為這項研究可能有望幫助解開記憶的一些奧秘,例如,從單個神經元水平界定記憶形成的遺傳原因,了解健忘和癡呆,幫助我們鑒定病態細胞和健康細胞,最終開啟新型的記憶缺陷治療方法之門。
Robert Wood Johnson醫學院神經科學和細胞生物學系的主席,主要研究人員Ira Black教授解釋道,“這項研究結果允許我們將基因行為與單個記憶細胞精確的電訊息交流功能聯系起來,這讓我們更好的理解記憶的奧秘!
這份研究的獨到之處在于聚焦在單個細胞水平上。
Black博士也預期將發現許多記憶必需基因,使對記憶缺陷的治療將涉及一打或更多關鍵基因。(版權所有 轉載請注明)
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